| 型号： | IRFHM830TR2PBF | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | International Rectifier | 描述： | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IRFHM830TR2PBF PDF |  |
| 产品目录绘图 | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装 | 1 |
| 系列 | HEXFET® |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 21A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 3.8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.35V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 2155pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 2.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装 | PQFN（3x3） |
| 包装 | 标准包装 |
| 其它名称 | IRFHM830TR2PBFDKR |